由以上分析可知,在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)激射,必須有很高的載流子注入,準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分別進(jìn)入導(dǎo)帶和價(jià)帶。要在半導(dǎo)體中注入如此高的載流子濃度,必須克服技術(shù)上的困難。方法之一是光泵。在真空中實(shí)現(xiàn)的電子束注入也可以產(chǎn)生高密度的非 (共 2111 字) [閱讀本文] >>
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 由以上分析可知,在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)激射,必須有很高的載流子注入,準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分別進(jìn)入導(dǎo)帶和價(jià)帶。要在半導(dǎo)體中注入如此高的載流子濃度,必須克服技術(shù)上的困難。方法之一是光泵。在真空中實(shí)現(xiàn)的電子束注入也可以產(chǎn)生高密度的非 (共 2111 字) [閱讀本文] >>