表面光電壓

　　表面光電壓是固體表面的光生伏特效應，是光致電子躍遷的結果。早在1876年，W.G.Adams就發(fā)現(xiàn)了這一現(xiàn)象，然而直到1948年才將這一效應作為光譜檢測技術應用于半導體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上，這種光譜技術稱為表面光電壓技術(SurfacePhotovoltaicTechnique)或表面光電壓譜(SurfacePhotovoltageSpectroscopy，簡稱SPS)。表面光電壓技術是一種研究半導體特征參數(shù)的極佳途徑，這種方法是通過對材料光致表面電壓的改變進行分析來獲得相關信息的。1970年，表面光伏研究獲得重大突破，美國麻省理工學院Gates教授領導的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時，歷史性的第一次獲得入射光波長與表面光電壓的譜圖，以此來確定表面態(tài)的能級，從而形成了表面光電壓譜這一新的研究測試手段。