當前位置:首頁 > 百科知識 > 電子工程 > 正文

RAM

RAM(random access memory)隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容,故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同,隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。

  特點

  隨機存取

  所謂“隨機存取”,指的是當存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r,所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存儲設備中的信息時,其所需要的時間與位置就會有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應用程序、數(shù)據(jù)等。

  易失性

  當電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失,而ROM不會。

  2、手機RAM

  RAM相當于運行只存內(nèi)存,RAM高會使手機在進行多任務時運行更流暢,以及使用多種軟件后仍能保持的流暢。 

  3、訪問速度

現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的,取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設備相比,也顯得微不足道。

  需要刷新(再生)

  現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進制),未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

  對靜電敏感

  正如其他精細的集成電路,隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷,引致數(shù)據(jù)流失,甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前,應先用手觸摸金屬接地

  4、區(qū)別只讀存儲器

  ROM-read only memory只讀存儲器

 ?、俸唵蔚卣f,在計算機中,RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲器。RAM 是隨機存取存儲器,它的特點是易揮發(fā)性,即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器(一次寫入,反復讀取),它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。舉個例子來說也就是,如果突然停電或者沒有保存就關(guān)閉了文件,那么ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。

  內(nèi)存

  在計算機的組成結(jié)構(gòu)中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存),輔助存儲器又稱外存儲器(簡稱外存)。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤,像硬盤,軟盤,磁帶,CD等,能長期保存信息,并且不依賴于電來保存信息,但是由機械部件帶動,速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲部件,是CPU直接與之溝通,并用其存儲數(shù)據(jù)的部件,存放當前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路,內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù),一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電,其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。

  從一有計算機開始,就有內(nèi)存。內(nèi)存發(fā)展到今天也經(jīng)歷了很多次的技術(shù)改進,從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等,內(nèi)存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天,服務器主要使用的是什么樣的內(nèi)存呢?IA架構(gòu)的服務器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。

  既然內(nèi)存是用來存放當前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,那么它是怎么工作的呢?我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”,指的是當我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后,經(jīng)過一段時間,數(shù)據(jù)會丟失,因此需要一個額外設電路進行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的:一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電,代表0的電容會吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對電容進行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認為其代表0,并把電容放電,藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。

  5、存儲單元

  靜態(tài)存儲單元(SRAM)

  ●存儲原理:由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)

  ●單元結(jié)構(gòu):六管NMOS或OS構(gòu)成

  ●優(yōu)點:速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低;常用作Cache

  ●缺點:元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大

  ●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)

  動態(tài)存儲單元(DRAM)

  ●存貯原理:利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理,需刷新(早期:三管基本單元;之后:單管基本單元)

  ●刷新(再生):為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失,必須定時給柵極電容補充電荷的操作

  ●刷新時間:定期進行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間(小于2ms)。

  ●優(yōu)點: 集成度遠高于SRAM、功耗低,價格也低

  ●缺點:因需刷新而使外圍電路復雜;刷新也使存取速度較SRAM慢,所以在計算機中,DRAM常用于作主存儲器。

  盡管如此,由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

  6、其他

  RAM:一種音頻格式,可以用千千靜聽播放。RA、RAM和RM都是Real公司成熟的網(wǎng)絡音頻格式,采用了“音頻流”技術(shù),所以非常適合網(wǎng)絡廣播。在制作時可以加入版權(quán)、演唱者、制作者、Mail和歌曲名稱等信息。

  RA可以稱為互聯(lián)網(wǎng)上多媒體傳播的霸主,適合于網(wǎng)絡上進行實時播放,是目前在線收聽網(wǎng)絡音樂最好的一種格式。

  RAM:角色/職責分配矩陣,就是將WBS(工作分解結(jié)構(gòu))中的每一項工作指派到OBS(組織分解結(jié)構(gòu))中的執(zhí)行人員所形成的一個矩陣,是人力資源管理用詞。

  RAM: Radar absorbing Material 雷達吸波材料,是指能夠通過自身的吸收作用減小目標雷達散射截面(RCS)的材料。

  RAM: Relative Atomic Mass相對原子質(zhì)量(原子量)
 


內(nèi)容來自百科網(wǎng)