LED材料發(fā)展過程

　　1991年，日亞公司研制成功同質結GaN基藍光LED，峰值波長430nm，光譜半寬55rim，其光輸出功率為當時市場上SiC LED的10倍，外量子效率約為0．18％。
 

　　1995年，日亞公司，又研制成功InGaN／AIGaN雙異質結的燭光級超高亮度藍色LED，在20mA的正向電流下，輸出功率為1．5mW，外量子效率為2．7％，波長和半寬分別為450nm和70rim。

　　1997年，Schlotter等人和Nakamura等人先后發(fā)明了用藍光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED。

　　2001年，Kafmann等人，用UV LED激發(fā)三基色熒光粉得到白光LED。過去的幾年中，白光LED引起了LED產(chǎn)業(yè)界和學術界的廣泛重視。

　　2006年，Cree公司，宣布推出一款新的冷白光LED—“XP．G”，發(fā)光效率和亮度都創(chuàng)下新的記錄，其在驅動電流為350mA時，光通量達1391m，光效為1321m／W，亮度和光效分別比Cree最亮的XR．E LED提高37％和53％，被稱之為“業(yè)界最亮且具有最高效率的照明級LEDt211”。

　　2007年，日亞公司，發(fā)布了其新型LED，該實驗型產(chǎn)品在順向電流為350mA的條件下，光通量可達1451m，發(fā)光效率約為1341m／W，芯片的大小為lmm2，色溫為4988K(在Ir=20mA的情況下，發(fā)光效率更高達169 lm／W)。近兩年，日亞公司生產(chǎn)的GaN基LED，無論是藍光、紫光、紫外還是白光LED均為國際上最高水平，其中460nm的藍光LED的外量子效率可以達到34．9％。

　　2007年，美國的Cree公司，在SiC襯底上生長雙異質結，制作的器件同樣很出色，SiC襯底可以把Gabl基LED的金屬電極制造在襯底的底部，電流能夠通過低阻導電襯底的垂直流動，也為發(fā)展其它光電子器件奠定了基礎。此公司在SiC上生長GaN基LED無論是小尺寸芯片藍光LED和紫光LED還是大尺寸藍光LED和紫光LED均屬國際頂級水平。