1.3.4.2 外延橫向過度生長

通過絕緣體(dielectricum)SiO2的開口(opening),外延橫向過度生長技術可以實現Si的擇優(yōu)外延生長,如圖1.14(b)所示。通過熱氧化(thermaloxidation),得到的絕緣體SiO2具有掩蔽層(maskinglayer)的作用?；瘜W氣相沉積CVD的擇優(yōu)特性來自于控制Si蝕刻和Cl氣 ......（本文共 840 字 , 2 張圖）     [閱讀本文] >>