2.2.1.1 材料要求

制備異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽(yáng)能電池的高溫工藝具有較高的Si沉積速率,而且再結(jié)晶后的晶粒尺寸較大,外延層的缺陷密度較低。但是,必要的溫度穩(wěn)定性(temperaturestability)限制了異質(zhì)襯底材料的選擇,因?yàn)樾枰獫M(mǎn)足以下要求:●機(jī)械穩(wěn)定性 ......（本文共 1225 字 ）     [閱讀本文] >>