2.2.2.1 陷光結(jié)構(gòu)

因為晶體硅是間接帶隙半導(dǎo)體,需要一定的陷光結(jié)構(gòu),才能提高異質(zhì)襯底晶體硅薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。如果不增加光程長,就不能體現(xiàn)晶體硅薄膜的優(yōu)勢,即低材料質(zhì)量要求情況下的高開路電壓Voc潛力。事實上,運用低溫工藝實現(xiàn)商 ......（本文共 1212 字 , 1 張圖）     [閱讀本文] >>