2.3.2 區(qū)熔再結(jié)晶的機(jī)理

為了了解區(qū)熔再結(jié)晶ZMR的機(jī)理,需要通過實(shí)驗(yàn)分析ZMR生長(zhǎng)薄膜的形貌(morphology或topography)。對(duì)ZMR生長(zhǎng)的薄膜進(jìn)行射哥蝕刻(Seccoetch),薄膜會(huì)出現(xiàn)典型的缺陷結(jié)構(gòu)。對(duì)Si薄膜的射哥蝕刻是一種擇優(yōu)蝕刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的 ......（本文共 3029 字 , 2 張圖）     [閱讀本文] >>