第23問 如何形成低溫多晶硅

上一問與大家聊過非晶硅TFT的制造工藝,這一問介紹一下LTPSTFT的制作工藝。a-SiTFT一般為底柵5Mask結(jié)構(gòu),而LTPSTFT由于底柵結(jié)構(gòu)導(dǎo)致硅層中結(jié)晶性不佳,無法提高載流子遷移率,目前頂柵式LTPSTFT已是主流結(jié)構(gòu)。LTPSTFT與a-SiTFT主要有兩點(diǎn)制程 ......（本文共 681 字 ）     [閱讀本文] >>