具有超低工作電壓的銀納米線阻變器件研究

摘要： 具有高密度和自適應特性的隨機銀納米線網絡能夠模擬神經元的復雜網絡拓撲，在信息存儲、選擇器和神經形態(tài)計算領域中應用廣泛。文章采用旋涂工藝在圖像化電極襯底上制備了銀納米線器件，研究了不同銀納米線濃度和直徑對其電學性能的影響，并最終實現了具有超低工作電壓（0.01 V）的神經形態(tài)器件。實驗結果表明，采用直徑為30 nm的銀納米線和濃度為5 wt%的復合溶液所制備的隨機網絡能夠實現可控...