玷污層對根尖微滲漏的影響

摘要： 目的:利用掃描電鏡和葡萄糖定量法評價玷污層對離體牙根管充填后根尖微滲漏的影響。方法:選取51顆單直根管離體牙,隨機分為5組進行根管預(yù)備,并按分組進行根管沖洗。A組(11顆)——17%乙二胺四乙酸和1%次氯酸鈉,B組(11顆)——1%鹽酸四環(huán)素和1%次氯酸鈉,C組(11顆)——10%枸櫞酸和1%次氯酸鈉,D組(9顆)——1%次氯酸鈉,E組(9顆)——生理鹽水。每組各選取1個樣本進行掃描電鏡觀察,其余樣本進行根管側(cè)壓充填。于第1、2、4、7、10、15、20、30天用葡萄糖氧化酶法測定從冠方向根方滲漏的葡萄糖量。實驗數(shù)據(jù)采用SPSS16.0軟件包進行重復(fù)測量數(shù)據(jù)的方差分析和SNK-q檢驗。結(jié)果:A、B、C組根管無玷污層結(jié)構(gòu),微滲漏量較D、E組小(P<0.05);D、E組根管玷污層多,微滲漏量大,E組微滲漏量大于D組(P<0.05)。結(jié)論:去除玷污層可有效減少微滲漏的發(fā)生。 （共5頁）