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使用單能X射線輻射裝置對(duì)CdTe探測(cè)效率的實(shí)驗(yàn)刻度

計(jì)量學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 5 2022-10-28
摘要： CdTe探測(cè)器對(duì)單能平行光子源的絕對(duì)測(cè)量之前，需要進(jìn)行效率刻度。利用MCNP5蒙特卡羅模擬程序建立CdTe探測(cè)器物理模型，模擬計(jì)算了10～260 keV能量段能點(diǎn)的本征探測(cè)效率，在10～60 keV能量段探測(cè)效率高于75%。用單能X射線裝置和HPGe探測(cè)器對(duì)CdTe探測(cè)器本征探測(cè)效率進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)刻度。結(jié)果表明，在10～100 keV能量范圍內(nèi)CdTe探測(cè)器的模擬效率與實(shí)驗(yàn)效率趨勢(shì)...

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