基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工藝SRAM單粒子效應實時測量試驗

摘要： 本文基于海拔為4300 m的拉薩羊八井國際宇宙射線觀測站,開展了14 nm FinFET和28 nm平面互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工藝靜態(tài)隨機存取存儲器(static randomaccess memory, SRAM)陣列的大氣輻射長期實時測量試驗.試驗持續(xù)時間為6651 h,共觀測到單粒...