總劑量與單粒子協(xié)合效應(yīng)對(duì)SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)敏感性影響的仿真研究

摘要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）在空間環(huán)境中可能會(huì)受到總電離劑量（TID）效應(yīng)和單粒子效應(yīng)（SEE）協(xié)合作用的影響，導(dǎo)致器件單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）的敏感性發(fā)生改變。文章針對(duì)90 nm的SRAM器件，通過(guò)器件級(jí)和電路級(jí)的綜合仿真手段，利用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）和集成電路模擬程序（SPICE）軟件研究TID和SEE的協(xié)合作用對(duì)SRAM器件SEU敏感性的影響機(jī)制。發(fā)現(xiàn)：當(dāng)TID和SEE作...