ZnO NW柵極GaN HEMT紫外光探測(cè)性能
電子學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 7 2023-09-15
摘要: 本文實(shí)驗(yàn)采用水熱生長(zhǎng)法,成功制備了以ZnO納米線(xiàn)為光感應(yīng)柵極的高電子遷移率晶體管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.對(duì)HEMT進(jìn)行源漏(S/D)下刻蝕,刻蝕深度為120/150 nm,探究不同S/D刻蝕深度對(duì)器件性能的影響.同時(shí),利用磁控濺射法在柵電極沉積ZnO晶籽層,在80℃溫度下控制水熱生長(zhǎng)時(shí)間分別為6/8/10 h,探究不同...