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超低導(dǎo)通電阻溝槽柵LDMOS器件研究

電子學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 8 2023-07-05
摘要： 本文提出了一種具有超低特征導(dǎo)通電阻的溝槽柵橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS）.本結(jié)構(gòu)源極和漏極都在表面，與BCD(Bipolar CMOS DMOS)工藝相兼容.通過(guò)引入介質(zhì)溝槽、垂直柵極、柵極下方的源極多晶硅以及柵極右側(cè)的厚氧化層，將傳統(tǒng)集成型功率器件的一維耐壓拓寬為二維耐壓，包括橫...

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