6.5～10 GHz超寬帶低噪聲放大器的抗干擾設(shè)計(jì)
電子學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 7 2023-07-15
摘要： 本文基于SMIC 28 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于超寬帶協(xié)議的具有帶外噪聲抑制功能的全集成低噪聲放大器（Low Noise Amplifier,LNA），并提出了一種新型的LC串并聯(lián)兩級(jí)濾波結(jié)構(gòu).通過(guò)利用濾波器極點(diǎn)補(bǔ)償LNA帶內(nèi)增益的設(shè)計(jì)方法，合理設(shè)計(jì)濾波負(fù)載等效電路的極點(diǎn)，使其略高于零點(diǎn)頻率，在保證了LNA通帶增益和噪聲的情況下提高了濾波深度.對(duì)所設(shè)計(jì)的LNA進(jìn)行了E...
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