柵寬對(duì)AlGaN/GaN HEMTs亞閾值擺幅的影響

摘要： 制備了不同柵極寬度的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管，通過(guò)測(cè)量各器件電容-電壓曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，得到了柵溝道載流子輸運(yùn)特性以及亞閾值擺幅，結(jié)果顯示當(dāng)柵極寬度從10μm增加到50μm時(shí)，亞閾值擺幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亞閾值擺幅值隨柵極寬度變化的原因，發(fā)現(xiàn)不同的柵極寬度對(duì)應(yīng)不同的極化散射強(qiáng)度，亞閾值擺幅的變化是由柵溝道載流子輸運(yùn)特性和極化散射效應(yīng)造成的.為Al...