基于鐵電晶體管的存儲與存算一體電路

摘要： 近年來，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的發(fā)展對片上存儲與智能計算的能效、密度以及性能提出了更高的要求。面對傳統(tǒng)CMOS處理器的能效與密度瓶頸，以及傳統(tǒng)馮·諾伊曼架構(gòu)的“存儲墻”瓶頸，以鐵電晶體管(FeFET)為代表的新型非易失存儲器(NVM)提供了新的機(jī)遇。FeFET具有非易失、高能效、高開關(guān)比等特點，非常適合低功耗、高密度場景下的存儲與存算一體(CiM)應(yīng)用，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用在邊緣端...