基于壓控自旋軌道矩磁性隨機存儲器的存內(nèi)計算全加器設(shè)計

摘要： 隨著互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)的特征尺寸的不斷縮小，其面臨的靜態(tài)功耗問題縮越來越突出。自旋磁隨機存儲器(MRAM)由于其非易失性、高速讀寫能力、高集成密度和CMOS兼容性等良好特性，受到了學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注和研究。該文采用電壓調(diào)控的自旋軌道矩隨機存儲器設(shè)計了一個存內(nèi)計算可重構(gòu)邏輯陣列，能夠?qū)崿F(xiàn)全部布爾邏輯功能和高度并行計算。在此基礎(chǔ)上設(shè)計了存內(nèi)計算全加器并在40 nm工藝下進行了仿...