準(zhǔn)垂直肖特基二極管電極間距對耐壓的影響

摘要： 研究了不同電極間距對準(zhǔn)垂直肖特基勢壘二極管（SBD）正反向I-V特性，尤其是擊穿電壓和漏電的影響。通過制備不同電極間距的準(zhǔn)垂直GaN SBD，測量不同電極間距器件的擊穿電壓和反向漏電變化。測量發(fā)現(xiàn)當(dāng)電極間距小于器件臺面刻蝕深度時，器件的擊穿電壓隨著電極間距的增大而增大；當(dāng)電極間距大于臺面刻蝕深度時，器件的擊穿電壓隨著電極間距的增大而幾乎不發(fā)生變化。利用Silvaco軟件進行了一...