Si/SiC混合并聯(lián)功率器件開關(guān)模式優(yōu)化及特性分析

摘要： 在對比SiC MOSFET和Si IGBT器件開關(guān)特性的基礎(chǔ)上，提出了一種SiC MOSFET和Si IGBT混合并聯(lián)器件的優(yōu)化開關(guān)模式，并結(jié)合系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)模型，分析了其非理想開關(guān)過程特性。利用雙脈沖測試，對不同開通/延遲時間下的混合并聯(lián)器件開關(guān)特性展開了實驗。實驗結(jié)果表明，所提開關(guān)模式能夠同步實現(xiàn)SiC MOSFET擴容并降低Si IGBT的開關(guān)損耗。該研究成果可對拓展兩種開關(guān)器...