X波段GaN千瓦級(jí)功率放大器的設(shè)計(jì)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁(yè)數(shù): 6 2023-08-25
摘要: 為滿足新型雷達(dá)對(duì)千瓦級(jí)大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工藝研制了一款輸出功率大于2 000 W的X波段內(nèi)匹配功率放大器。通過(guò)背勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)與雙場(chǎng)板結(jié)構(gòu)提高器件擊穿電壓,使GaN HEMT管芯的工作電壓達(dá)到60 V。通過(guò)負(fù)載牽引得到管芯最優(yōu)阻抗,采用T型匹配網(wǎng)絡(luò)和功率分配/合成器將管芯阻抗匹配到50Ω。在工作電壓60 V、占空比1‰、脈寬5μs測(cè)試條件下,9....