高壓二極管阻斷I-V特性研究

摘要： 針對高壓二極管在終端工藝中出現(xiàn)的3種阻斷I-V特性進行了相關(guān)測試分析，通過TCAD模擬仿真，結(jié)合器件內(nèi)部電場和漏電流分布，理論研究了3種不同終端負斜角角度對其阻斷I-V特性的影響，闡述了導(dǎo)致器件擊穿電壓降低和軟擊穿的本質(zhì)機理。研究結(jié)果表明，當終端負斜角θ<1°時，器件獲得了低電壓的硬擊穿特性；當1°≤θ<3°時，器件可獲得最佳阻斷電壓的硬擊穿特性。導(dǎo)致硬擊穿的本質(zhì)原因是峰值電場...