一種具有n型隱埋載流子存儲層的BRT新結(jié)構(gòu)

摘要： 提出了一種具有n型隱埋載流子存儲層的基極電阻控制晶閘管（BRT）新結(jié)構(gòu)。利用TCAD仿真軟件對其工作機理和靜態(tài)特性進行了分析，并與雙柵BRT進行了性能對比。結(jié)果表明，新器件導(dǎo)通時會產(chǎn)生電子注入增強效應(yīng)，由絕緣柵雙極晶體管模式快速轉(zhuǎn)換成晶閘管模式，當(dāng)n型隱埋層濃度為8×1015 cm-3，隱埋層與p基區(qū)相接并與p++分流區(qū)距離接近時，能夠有效抑制器件中的電壓折回現(xiàn)象，獲得良好的導(dǎo)...