硅終端金剛石半導體與場效應管器件研究進展

摘要： 金剛石作為超寬禁帶半導體材料的代表，逐漸成為大家關注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展，但其半導體摻雜技術至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣而被廣泛應用于微波功率器件的研究，但其存在穩(wěn)定性不佳、界面態(tài)濃度較高等問題。相比而言，近年來出現的硅終端(C—Si)金剛石具有比氫終端(C—H)金剛石更低的界面態(tài)密度、更高的閾值電壓、載流子密度和穩(wěn)...