基于動(dòng)態(tài)柵極電阻的SiC MOSFET主動(dòng)并聯(lián)均流方法
高壓電器
頁(yè)數(shù): 8 2023-09-16
摘要: 隨著當(dāng)今時(shí)代電力電子技術(shù)的發(fā)展,SiC MOSFET在高頻、高溫、高壓以及大電流等場(chǎng)合中得到廣泛應(yīng)用,然而,由多管并聯(lián)所導(dǎo)致的不均流問(wèn)題成為了當(dāng)下SiC MOSFET模塊廣泛應(yīng)用中的一大阻礙。針對(duì)這一問(wèn)題,文中提出一種基于動(dòng)態(tài)柵電阻的SiC MOSFET模塊并聯(lián)均流方法,其主要原理是通過(guò)利用SiC MOSFET開(kāi)關(guān)瞬間漏極電流在源極寄生電感上感應(yīng)出的電壓來(lái)檢測(cè)電流,并通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)...