不同偏置下增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件總劑量效應(yīng)研究
核技術(shù)
頁(yè)數(shù): 9 2023-11-15
摘要: 氮化鎵功率器件憑借優(yōu)異性能被抗輻照應(yīng)用領(lǐng)域重點(diǎn)關(guān)注,為探究氮化鎵功率器件抗γ射線輻照損傷能力,明確其輻射效應(yīng)退化機(jī)制,針對(duì)增強(qiáng)型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件開(kāi)展不同偏置(開(kāi)態(tài)、關(guān)態(tài)和零偏置)條件下的γ射線輻照與不同溫度的退火試驗(yàn),分析器件電學(xué)性能同偏置條件和退火環(huán)境之間的響應(yīng)規(guī)律。結(jié)果表...