基于超短激光脈沖泵浦砷化鋁鎵多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲輻射產(chǎn)生研究

摘要： 半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有良好的束縛載流子的能力與產(chǎn)生大功率太赫茲輻射的潛力。但由于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中等離子體非相干振蕩的干擾效應(yīng)造成了太赫茲輻射強度的大幅度降低，因此能夠在基于砷化鋁鎵（AlxGa1-xAs）多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)并通過調(diào)節(jié)其中鋁的摩爾分數(shù)來調(diào)節(jié)窄帶隙層的吸收系數(shù)，從而使得異質(zhì)結(jié)構(gòu)每一個窄帶隙層的激發(fā)載流子數(shù)目大致相同，達到幾乎完全消除干擾效應(yīng)的目標?；谏榛X鎵多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的太赫茲輻...