碳化硅溝槽柵MOSFET技術(shù)研究進(jìn)展

摘要： 第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）具備耐高壓、耐高溫和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，迅速成為行業(yè)的研究熱點(diǎn)。文章結(jié)合SiC功率MOSFET器件發(fā)展歷史，探討了從平面柵技術(shù)發(fā)展到溝槽柵技術(shù)的必要性，介紹了SiC溝槽柵MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、溝槽刻蝕工藝和溝槽柵氧工藝等核心問(wèn)題的研究進(jìn)展與技術(shù)挑戰(zhàn)，并對(duì)未來(lái)新型SiC溝槽柵MOSFET技術(shù)進(jìn)行了展望。