碳化硅外延設備技術研究

摘要： 碳化硅外延技術是采用化學氣相沉積設備在N型4H-SiC襯底上進行同質外延生長，而外延生長設備所具有的溫度場和氣流場的狀態(tài)決定了外延生長的成膜質量。文章以水平熱壁技術路線為例，通過對反應腔室的溫度場和氣流場進行研究，獲得最優(yōu)的反應腔室結構；并通過對外延工藝的研究，獲得優(yōu)異的工藝控制效果；實現外延生長速度大于60μm/h，不同外延膜厚均勻性小于1.2%，不同摻雜濃度均勻性小于3%，...