雙碳目標下的三族氮化物功率半導體技術

摘要： 能源生產(chǎn)清潔化和能源消費電氣化是我國“雙碳”政策的必經(jīng)之路，功率半導體技術在這2個過程中發(fā)揮著重要作用。以氮化鎵（GaN）為代表的三族氮化物功率半導體基于其優(yōu)異的材料物理特性，未來應用前景廣闊。歷經(jīng)二十余年產(chǎn)業(yè)鏈上下游技術發(fā)展，目前GaN功率半導體的關鍵共性技術，諸如大尺寸Si襯底上高耐壓GaN材料外延、穩(wěn)定常關型器件的制備以及與CMOS兼容的GaN工藝制備等，已逐步得到解決，...