柵極偏置對(duì)SiC MOSFET總劑量效應(yīng)的影響及加固
機(jī)車電傳動(dòng)
頁數(shù): 8 2023-09-10
摘要: 文章針對(duì)總劑量效應(yīng)造成的MOSFET閾值漂移問題,使用1 200 V SiC MOSFET進(jìn)行輻照試驗(yàn),對(duì)柵極偏壓和輻照后高溫柵極偏置退火對(duì)閾值漂移的影響和原理進(jìn)行了研究。通過中帶電壓法分析發(fā)現(xiàn),造成閾值電壓負(fù)向漂移的主要原因是輻照產(chǎn)生的空穴被近界面陷阱俘獲。通過對(duì)不同柵極氧化層退火條件制備的SiC MOSFET試驗(yàn)和分析,得出了當(dāng)使用氮化氣體退火進(jìn)行總劑量效應(yīng)加固時(shí),需要折中...