InGaN基藍光激光器p型波導層和有源區(qū)優(yōu)化研究

摘要： 為了進一步提升藍光激光器的性能，基于實驗樣品結(jié)構(gòu)，詳細研究了不同結(jié)構(gòu)的p型波導層和有源區(qū)的組合對InGaN基邊發(fā)射藍光激光器性能的影響。利用PICS3D軟件模擬計算其光輸出功率-電流-電壓特性曲線、能帶結(jié)構(gòu)、載流子電流密度分布、激射復合率等光電特性。結(jié)果表明，In組分漸變的p型波導層和前兩個量子壘層、最后一個量子壘層使用AlGaN材料的新結(jié)構(gòu)，可以很好地抑制電子泄漏，增加空穴注...