1300nm應(yīng)變補(bǔ)償量子阱激光器光電性能研究

摘要： 為了提升1300 nm半導(dǎo)體激光器的光電特性，采取k·p方法的激光器模擬軟件SiLENSe設(shè)計(jì)了GaAsSb/GaAsP/InGaAsSb應(yīng)變補(bǔ)償激光器，調(diào)控了有源區(qū)的能帶結(jié)構(gòu)，并對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真計(jì)算。結(jié)果表明，與傳統(tǒng)InGaAsSb/GaAsSb有源區(qū)對(duì)比，應(yīng)變補(bǔ)償結(jié)構(gòu)LD2閾值電流從135 mA降低至95 mA。在1.5 A的注入電流下，工作電壓從1.38 V降低至1.2...