C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器設(shè)計(jì)
雷達(dá)科學(xué)與技術(shù)
頁(yè)數(shù): 6 2023-08-15
摘要: 采用0.25μm氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)工藝設(shè)計(jì)了一種全集成單片微波集成電路(MMIC)多爾蒂(Doherty)功率放大器(DPA)。采用了新型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),去除了傳統(tǒng)DPA中主路放大器的阻抗變換器以及兩路合成后的阻抗轉(zhuǎn)換器,直接在主路輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(OMN)中實(shí)現(xiàn)飽和點(diǎn)和回退點(diǎn)的阻抗的轉(zhuǎn)換,采取適當(dāng)?shù)淖杩?,與傳統(tǒng)電路相比,降低了阻抗轉(zhuǎn)換率,拓寬了頻帶。此外功率...