浮動電極對屏蔽柵溝槽型MOSFET特性的影響

摘要： 提出了在屏蔽柵溝槽型MOSFET(SGT)的溝槽側(cè)壁氧化層中形成浮動電極的結(jié)構(gòu)，通過改善電場分布，優(yōu)化了特征導通電阻與特征柵漏電容。在傳統(tǒng)SGT結(jié)構(gòu)的基礎上，僅通過增大外延層摻雜濃度，改變浮動電極的長度和位置以及氧化層厚度，最終得到擊穿電壓為141.1 V、特征導通電阻為55 mΩ·mm~2、特征柵漏電容為4.72 pF·mm^-2的浮動電極結(jié)構(gòu)。與相同結(jié)構(gòu)參數(shù)的SGT結(jié)構(gòu)...