低壓應(yīng)用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制

摘要： 提出了一種適用于低電壓工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件，開展了材料外延結(jié)構(gòu)的設(shè)計，在SiC襯底上生長了AlN/GaN外延材料?；诖瞬牧祥_展了器件制作，優(yōu)化了高溫快速退火工藝，獲得良好的歐姆接觸電阻。對所制備的器件進(jìn)行直流測試，結(jié)果顯示，電流輸出能力為2.4 A/mm,跨導(dǎo)極值為518 mS/mm,小信號f_t達(dá)到85 GHz,f_(max)大于141 GHz。...