硅基超薄柔性芯片的力學和電學特性研究進展

摘要： 全面綜述了硅基超薄柔性芯片在單軸彎曲應力下的力學和電學特性研究進展，包括彎曲形變的測試方法及應力計算公式，彎曲應力對器件及單元電路響應特性的影響，以及考慮應力效應的器件建模方法。彎曲應力會導致MOSFET的遷移率、閾值電壓、漏極電流等關鍵電參數(shù)發(fā)生變化，且變化率與所施加的應力大小和方向均密切相關。將器件電學參數(shù)隨應力變化的數(shù)學關系與常規(guī)的器件模型相結合，可得到適用于柔性可彎曲器... （共11頁）