功率模塊封裝用高強度高熱導(dǎo)率Si₃N₄陶瓷的研究進展

摘要： 隨著以SiC和GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體的崛起,電力電子器件向高輸出功率和高功率密度的方向快速發(fā)展,對用于功率模塊封裝的陶瓷基板材料提出更高的性能要求。傳統(tǒng)的Al2O3和AlN陶瓷由于熱導(dǎo)率較低或力學(xué)性能較差,均不能滿足新一代功率模塊封裝的應(yīng)用需求,相較之下,新發(fā)展的Si₃N₄陶瓷因兼具高強度和高熱導(dǎo)率,成為最具潛力的絕緣性散熱基板材料。近年來,研究人員通過篩選有效的...