氟、硅摻雜對(duì)CeO2(001)表面結(jié)構(gòu)及還原性能影響的第一性原理研究
中國(guó)稀土學(xué)報(bào)
頁數(shù): 8 2022-05-10
摘要: 使用DFT+U的方法研究了F,Si摻雜CeO
2(001)表面的結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu),分析了F,Si摻雜對(duì)CeO
2(001)表面還原性能的影響。結(jié)果表明:F,Si摻雜的CeO_(1.963)(001)體系中表層氧空位形成能均小于次表層氧空位形成能。CeO_(1.963)F_(0.037)(001)面的氧空位形成能比CeO_(1.963)(001)面的要大,而Ce_(0.926)Si...