H2對(duì)HfO2襯底上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積石墨烯的影響
稀有金屬與硬質(zhì)合金
頁(yè)數(shù): 7 2023-10-20
摘要: HfO
2薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要材料,而采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在HfO
2襯底上原位生長(zhǎng)石墨烯是極具潛力的一種石墨烯制備方法,這種方法有助于降低石墨烯轉(zhuǎn)移過(guò)程對(duì)石墨烯質(zhì)量的影響,從而提高石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。使用真空電子束蒸鍍方法在重?fù)诫s單拋硅片襯底上分別于50、150、250℃下沉積了100 nm厚的HfO
2薄膜樣品;隨后選...