重離子引起SiC MOSFET柵氧化物潛在損傷研究
原子能科學(xué)技術(shù)
頁(yè)數(shù): 10 2023-11-03
摘要: 針對(duì)空間應(yīng)用,開展SiC MOSFET單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究。在加速器上用重離子輻照1 200 V SiC MOSFET,離子線性能量傳輸(LET)在0.26~118 MeV·cm~2/mg之間,輻照中被試器件加50~600 V靜態(tài)漏源偏置電壓、柵源短接,實(shí)時(shí)測(cè)量電特性,進(jìn)行輻照后柵應(yīng)力(PIGS)測(cè)試。試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),50~100 V偏置電壓下,離子引起瞬態(tài)電流,PIGS測(cè)試柵失效...