基于實(shí)驗(yàn)與仿真的SiC JFET單粒子效應(yīng)研究

摘要： 我國(guó)航天事業(yè)發(fā)展迅速，大型空間平臺(tái)的建設(shè)以及高性能電推進(jìn)系統(tǒng)的應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能提出了越來越高的要求。SiC高壓功率器件抗輻射研究亟待突破。對(duì)SiC JFET器件施加不同的偏置電壓，進(jìn)行重離子輻照實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)表明，SiC JFET器件存在與SiC MOSFET類似的單粒子漏電退化與單粒子燒毀2種失效模式，漏電退化程度與漏極偏置電壓、重離子注量呈正相關(guān)。通過Sentauru...