GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池100MeV質(zhì)子位移輻照損傷效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究
原子能科學(xué)技術(shù)
頁(yè)數(shù): 9 2023-12-20
摘要: GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池是當(dāng)前航天器空間電源系統(tǒng)的核心元器件,其在空間輻射環(huán)境中遭受的輻照損傷會(huì)導(dǎo)致太陽(yáng)電池性能參數(shù)衰降,甚至導(dǎo)致航天器供電系統(tǒng)功能失效。為獲取GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池高能質(zhì)子輻照損傷退化規(guī)律,以國(guó)產(chǎn)GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池為研究對(duì)象,通過(guò)開(kāi)展100 MeV質(zhì)子不同注量下的輻照實(shí)驗(yàn),分析質(zhì)子位移損傷誘發(fā)GaInP/GaA...