橋式電路中SiC MOSFET串?dāng)_峰值預(yù)測算法研究

摘要： 文中針對串?dāng)_電壓峰值與驅(qū)動回路阻抗間的非線性關(guān)系，分段分析共源電感存在時串?dāng)_產(chǎn)生機(jī)理，提出一種碳化硅(silicon carbide,SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串?dāng)_電壓的分析模型及預(yù)測算法。所提算法綜合考慮共源電感、非線性極間電容等寄生參數(shù)與探頭接線的影響，...