SiC MOSFET新型負(fù)壓關(guān)斷串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路
中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁數(shù): 11 2023-02-23
摘要: 基于碳化硅(SiC)材料的第三代寬禁帶功率器件的出現(xiàn),推動(dòng)著電力電子變換器朝著高頻化、高功率密度、小型化方向發(fā)展。但隨著開關(guān)速度的提高,電路中寄生參數(shù)的影響越來越大,導(dǎo)致橋式變換器存在嚴(yán)重的串?dāng)_問題。文中根據(jù)SiC金屬–氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor,MOSFET)的工作特性,在RCD(...