壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對其并聯(lián)時開通均流的影響

摘要： 壓接型絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并聯(lián)技術(shù)已成為大功率器件設(shè)計的核心之一，而并聯(lián)壓接型IGBT芯片的開通均流問題因續(xù)流二極管反向恢復(fù)的存在需被重點關(guān)注。為研究壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對其并聯(lián)時開通均流的影響，文中首先根據(jù)IGBT單芯片的開通機理和波形揭示芯片參數(shù)對IGBT開通各個階段內(nèi)集電極電流變...