碳化硅MOSFET橋臂串擾機理分析與抑制策略

摘要： 橋臂串擾指關(guān)斷態(tài)開關(guān)管驅(qū)動端狀態(tài)受到同一橋臂支路另一開關(guān)管開通或關(guān)斷的干擾而產(chǎn)生擾動。相比于傳統(tǒng)硅器件，碳化硅金屬–氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)開關(guān)速度更高、驅(qū)動端可靠關(guān)斷區(qū)間更小，因此，其橋臂串擾問題更加突出。為提高碳化硅MOSFET可靠性，有必要分析碳化硅MOSF...