氮化鎵功率器件/模塊封裝技術(shù)研究進(jìn)展
中國電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁數(shù): 17 2022-08-18
摘要: 氮化鎵(Ga N)作為典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高耐溫、高耐擊穿電壓以及高電子遷移速率的優(yōu)勢,封裝技術(shù)對于充分發(fā)揮Ga N的以上優(yōu)勢并保障工作可靠性十分關(guān)鍵。文中首先對比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模塊封裝的異同,隨后從封裝雜散電感、封裝散熱設(shè)計(jì)和封裝連接可靠性3個方面,分別介紹其帶來的問題以及解決方案,討論目前研究可能存在的不足。基于綜述分析,最后提出未來Ga ...